IXYS推出170～300V沟槽栅口工艺的超级MOSFET!这些MOSFET能处理高达280A的电流，使工程师设计高功率的产品时，无需再使用低电流的MOSFET去并联！这样使得驱动电路更简单，使系统使用更少的元件达致高可靠性、简单的极佳效果。

该系列MOSFET优化的开关特性，使他们适合于很多高功率的应用。

GigamosTM系列MOSFET使用IXYS先进的Trench工艺，从而具有极低的RDS(ON)和门电荷（QG）同时有极佳的开关特性并十分结实，好的开关特性源于使用了IXYS享誉业界的HiperFETTM工艺，使得MOSFET内置的二极管有非常低的反向恢复电荷和高的dv/dt指标。这系列的MOSFET的最高结温高达175℃，使它们尤其适合于电动汽车，混合动力汽车，电动摩托车电动叉车等应用！同时也可以用于大功率的DC-DC变换器，直流斩波器，开关电源，UPS等市场。